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NTBG080N120SC1_V02中文资料

厂家型号

NTBG080N120SC1_V02

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG080N120SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-12 10:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
D2PAK-7L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ONSEMI
23+
MOSFET
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