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NTBG028N170M1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 28 m • Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 222 nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 200 pF) • 100 Avalanche Tested • RoHS Compliant Typical Applications • UPS • DC/DC Converter • Boost Converter

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-15 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
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MOSFET
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D2PAK7(TO-263-7L-HV)
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