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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTBG028N170M1 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 28 m • Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 222 nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 200 pF) • 100 Avalanche Tested • RoHS Compliant Typical Applications • UPS • DC/DC Converter • Boost Converter | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTBG028N170M1 | 碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，28 mohm，1700 V，M1，D2PAK-7L封装 | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-11-18 11:26:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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