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NTBG028N170M1中文资料

厂家型号

NTBG028N170M1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET 28 m, 1700 V, M1, D2PAK-7L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTBG028N170M1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 28 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 222 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 200 pF)

• 100 Avalanche Tested

• RoHS Compliant

Typical Applications

• UPS

• DC/DC Converter

• Boost Converter

更新时间:2025-10-14 15:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
D2PAK-7L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
Onsemi/安森美
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ON(安森美)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
鑫远鹏
25+
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5000
价优秒回原装现货