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位置：首页 > IC中文资料第854页 > NP82N06PDG

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP82N06PDG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP82N06PDG

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG-E1-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG-E1-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG-E2-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG-E2-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：267.54 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLC

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ·Channel Temperature 175 degree rated ·Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 9.0 mW (MAX.)(VGS = 10 V, ID = 4

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLD

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES · Channel Temperature 175 degree rated · Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 8.5 mW (MAX.) (VGS = 10 V, ID

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP82N06DLC

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ·Channel Temperature 175 degree rated ·Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 9.0 mW (MAX.)(VGS = 10 V, ID = 4

RENESAS

瑞萨

NP82N06DLD

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES · Channel Temperature 175 degree rated · Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 8.5 mW (MAX.) (VGS = 10 V, ID

RENESAS

瑞萨

NP82N06PDG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP82N06PDG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 82A TO-263

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

NP82N06PDG供应商更多...

更新时间：2026-1-1 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中联芯电子有限公司
NP82N06PDG
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
NP82N06PDG
NEC
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原厂原封装
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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深圳市创盛芯科技有限公司
NP82N06PDG
NEC
25+
TO-263
2500
全新原装正品支持含税
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深圳市一线半导体有限公司
NP82N06PDG
NEC
24+
TO-263
8866
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艾睿（深圳）半导体有限公司
NP82N06PLG
NEC
2447
TO263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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深圳市威雅利发展有限公司
NP82N06PDG
VBsemi
21+
TO263
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳深宇韬电子科技有限公司
NP82N06PLG
NEC
2023+
TO263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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深圳市河锋鑫科技有限公司
NP82N06PDG
NEC
2022+
TO-263
12888
原厂代理 终端免费提供样品
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深圳市博中泰实业有限公司
NP82N06PDG低压MOS管
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO263
60000
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
NP82N06PLG-E1
NEC
23+
SOT-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价

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NP82N06PDG规格书下载地址

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