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位置：首页 > IC中文资料第10210页 > NP82N06PLG

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP82N06PLG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP82N06PLG

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

RENESAS

瑞萨

NP82N06PLG

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：203.32 Kbytes Page：8 Pages

NEC

瑞萨

NP82N06PLG

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PLG_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：313.21 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PLG-E1-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：203.32 Kbytes Page：8 Pages

NEC

瑞萨

NP82N06PLG-E1-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：313.21 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06PLG-E2-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：203.32 Kbytes Page：8 Pages

NEC

瑞萨

NP82N06PLG-E2-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件：313.21 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLC

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ·Channel Temperature 175 degree rated ·Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 9.0 mW (MAX.)(VGS = 10 V, ID = 4

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLD

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES · Channel Temperature 175 degree rated · Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 8.5 mW (MAX.) (VGS = 10 V, ID

RENESAS

瑞萨

NP82N06CLD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP82N06DLC

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ·Channel Temperature 175 degree rated ·Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 9.0 mW (MAX.)(VGS = 10 V, ID = 4

RENESAS

瑞萨

NP82N06DLD

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES · Channel Temperature 175 degree rated · Super Low On-state Resistance RDS(on)1 = 8.5 mW (MAX.) (VGS = 10 V, ID

RENESAS

瑞萨

NP82N06PLG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP82N06PLG

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

NP82N06PLG供应商更多...

更新时间：2025-11-20 14:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
NP82N06PLG
R
25+
TO-263S
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
深圳市芯皇电子有限公司
NP82N06PLG
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司
NP82N06PLG
NEC
2025+
TO-263
3550
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
深圳市威雅利发展有限公司
NP82N06PLG
NEC
1922+
TO-220
303
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
NP82N06PLG
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
询价
深圳深宇韬电子科技有限公司
NP82N06PLG
NEC
2023+
TO263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
NP82N06PLG
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
NP82N06PLG-E1
NEC
23+
SOT-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市益百分电子有限公司
NP82N06PLG(1)-E1-AY
NEC
07+
TO263
2550
全新原装进口自己库存优势
询价
上海意淼电子科技有限公司
NP82N06PLG(1)-E1-AY
NEC
23+
TO263
20000
全新原装假一赔十
询价

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NP82N06PLG规格书下载地址

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