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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP100P04PLG | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  |   |
NP100P04PLG | ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET 文件：300.45 Kbytes Page：9 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | | | |
ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG100P04KAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 |  | | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG100P04KHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体 | | |
NP100P04PLG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP100P04PLG
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Renesas |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS |
1932+ |
TO-263 |
537 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NEC |
24+ |
TO-263 |
503158 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-252 |
|||
NEC |
22+ |
TO252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
Renesas(瑞萨) |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
||||
RENESAS |
2020+ |
TO-263 |
106 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
37279 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
||||
NEC |
21+ |
TO263 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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2020-8-4NPA1006假一罚十
只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16
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