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G100P04KH

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG100P04KHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG100P04KAusesadvancedtrenchtechnologytoprovid eexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半导体

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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更新时间:2025-7-22 23:00:00
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