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NP100P04PLG-E2-AYNote

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
更新时间:2025-7-24 18:17:00
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