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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NESG250134-T1-AZ | NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f= | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NESG250134-T1-AZ | 封装/外壳：TO-243AA 包装：托盘 描述：TRANS NPN 900MHZ SOT-89 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | CEL California Eastern Laboratories |  | |
NESG250134-T1-AZ | NECsNPNSiGeRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIVATION(800mW)3-PINOWERMINIMOLD(34PACKAGE) 文件：706.62 Kbytes Page：13 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(800mW) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(800mW)amplification PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=15dBm,f=460MHz PO=29dBmTYP.@VCE=3.6V,Pin=20dBm,f= | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
NESG250134-T1-AZ产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG250134-T1-AZ
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
20+/21+ |
SOD-89 |
9500 |
全新原装现货 |
|||
NEC |
23+ |
TO89-4 |
8890 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOT-89 |
17658 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
RENESAS |
2017+ |
SOT-89 |
45896 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
NEC |
2023+ |
SOT89 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
1936+ |
SOT-89 |
6852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
|||
NEC |
SOT89 |
978998 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
NEC |
09+ |
TO89-4 |
921 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
NEC |
23+ |
SOT89 |
4053 |
原厂原装正品 |
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