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NESG250134-T1-AZ中文资料

厂家型号

NESG250134-T1-AZ

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342.14Kbytes

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16

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG250134-T1-AZ数据手册规格书PDF详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (800 mW)

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

FEATURES

• This product is suitable for medium output power (800 mW) amplification

PO = 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 15 dBm, f = 460 MHz

PO = 29 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, Pin = 20 dBm, f = 900 MHz

• MSG (Maximum Stable Gain) = 23 dB TYP., @ VCE = 3.6 V, Ic = 100 mA, f = 460 MHz

• Using UHS2-HV process (SiGe technology), VCBO (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 20 V

• 3-pin power minimold (34 PKG)

NESG250134-T1-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG250134-T1-AZ

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Med Power Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-12 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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