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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NEM-A166	Network Expansion Module 文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	JDSU 捷迪讯	JDSU
MIP166	Silicon MOS IC	PANASONIC 松下	PANASONIC
MRF166	MOSFET BROADBAND RF POWER FETs 20 W, 500 MHz MOSFET BROADBAND RF POWER FETs Designed primarily for wideband large–signal output and driver from 30– 500MHz. • Low Crss— 4.5 pF @ VDS= 28 V • MRF166C — Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 20 W Gain = 17 dB Efficiency = 55 • Option	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF166C	MOSFET BROADBAND RF POWER FETs 20 W, 500 MHz MOSFET BROADBAND RF POWER FETs Designed primarily for wideband large–signal output and driver from 30– 500MHz. • Low Crss— 4.5 pF @ VDS= 28 V • MRF166C — Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 20 W Gain = 17 dB Efficiency = 55 • Option	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF166W	TMOS BROADBAND RF POWER FET 40 W, 500 MHz TMOS BROADBAND RF POWER FET Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages to 500 MHz. • Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics • Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts Gain = 13 dB Efficie	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
NTE166	Single Phase Bridge Rectifier 2.0 Amp Features: • Ideal for Printed Circuit Board • Surge Overload Rating: 50A (Peak)	NTE	NTE

NEM-A166供应商更多...

更新时间：2026-5-15 11:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇创芯科技有限公司	NEO-4S-0-000-2	U-BLOX	24+	SMD	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NE-NO2	NEMOTO	23+		27000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市昊创电子有限公司	NEO-5M	Ublox	1114+	GPS	86	全新进口原装	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NEO-5M	UBLOX	23+	GPS	86	原装正品代理渠道价格优势	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NEMAL6-20RRECEPTABLE	MARINCO	2447	NA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	NE-NAU82011V	NUVOTON/新唐	20+	SMD	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NEO12F001	YCL	23+	SOP-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NEO-5M	UBLOX	21+	GPS	69600		询价
上海磐岳电子有限公司	NEO-5M	UBLOX	2023+	GPS	5800	进口原装,现货热卖	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NEO-112786-001	NEO	25+23+		35506	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28
NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27
NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18