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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NE76184A-T1 | GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 |   | |
NE76184A-T1 | GaAs MES FET GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76184A is a N-channel GaAs MES FET housed in ceramic package. The device is fabricated by ion implantation for improved RF and DC performance reliability and uniformity. Its excellent low noise and high associated gain make it suitabl | RENESAS 瑞萨 | | |
NE76184A-T1 | GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET | RENESAS 瑞萨 | | |
GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
GaAs MES FET GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION NE76184A is a N-channel GaAs MES FET housed in ceramic package. The device is fabricated by ion implantation for improved RF and DC performance reliability and uniformity. Its excellent low noise and high associated gain make it suitabl | RENESAS 瑞萨 | |
NE76184A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE76184A-T1
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
GENERAL PURPOSE FET N-CHANNEL GaAs MES FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NEC |
2016+ |
SOT86 |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
NEC |
P |
98 |
39 |
||||
NEC |
23+ |
NA |
3838 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NEC |
05+ |
SMT16 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
NEC |
25+23+ |
New |
35879 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT86 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NEC |
24+ |
TO-50 |
7157 |
新进库存/原装 |
|||
原装 |
1923+ |
SOT86 |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
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2013-3-7NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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