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NE6510179A价格
参考价格:¥19.5000
型号:NE6510179A-T1 品牌:NEC 备注:这里有NE6510179A多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NE6510179A批发/采购报价,NE6510179A行情走势销售排行榜,NE6510179A报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE6510179A | NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Labs | ||
NE6510179A | N-CHANNELGaAsHJ-FET 1WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION TheNE6510179Aisa1WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering1Wofoutputpower(CW)withhighlinear gain,highefficiencyandexcellentdist | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | ||
NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Labs | |||
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N-CHANNELGaAsHJ-FET 1WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION TheNE6510179Aisa1WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering1Wofoutputpower(CW)withhighlinear gain,highefficiencyandexcellentdist | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5 | CEL California Eastern Labs | |||
包装:盒 描述:EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 | CEL California Eastern Labs | |||
包装:盒 描述:EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 | CEL California Eastern Labs |
NE6510179A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE6510179A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEC |
00+ |
SMT86 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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NEC |
22+ |
SOT-79A |
30000 |
只做原装正品 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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NEC |
23+ |
NA |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
23+ |
TO-59 |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NEC |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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NEC |
1923+ |
NAME |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
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NEC |
23+ |
SOT-79A |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NEC |
24+ |
QFN |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
NE6510179A规格书下载地址
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2023-3-16NE5568-交换式电源控制器
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2013-3-7NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达±3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK-5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631-XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9V,2.0V,为2.7V,2.8V,2.9V,3.0V,3.1V,4.2V,4.3V,4.4V,4.5V,4.6V。根据要求提供其它阈值从100mV的步长1.9V至4.6V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631-XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。应用•复位微处理器和逻辑电路•电压
2012-11-18
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