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NE6510179A-A中文资料

厂家型号

NE6510179A-A

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10

功能描述

NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET

数据手册

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生产厂商

CEL

NE6510179A-A数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 V with high linear gain, high efficiency, and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures.

FEATURES

• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

• USABLE TO 3.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

• HIGH OUTPUT POWER:

35 dBm TYP with 5.0 V Vdc

32.5 dBm TYP with 3.5 V Vdc

• HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

• LOW THERMAL RESISTANCE: 5°C/W

NE6510179A-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE6510179A-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-11-30 9:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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