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位置：首页 > IC中文资料第2301页 > NE6510179A-T1-A

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE6510179A-T1-A

NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5

CEL

California Eastern Labs

NE6510179A-T1-A

封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 8V 1.9GHZ 79A 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Labs

NE6510179A-T1

NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5

CEL

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NE6510179A-T1

N-CHANNEL GaAs HJ-FET

1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION The NE6510179A is a 1 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent dist

RENESAS

瑞萨

NE6510179A-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE6510179A-T1-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS（最大值/最小值）

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

NE6510179A-T1-A供应商更多...

更新时间：2025-8-10 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
NE651R479A-T1
NEC
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NE651R479A-T1
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