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NE6510179A-T1-A	NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5	CEL California Eastern Labs
NE6510179A-T1-A	封装/外壳：4-SMD，扁平引线包装：卷带（TR）描述：FET RF 8V 1.9GHZ 79A 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	CEL California Eastern Labs
NE6510179A-T1	NECs3W,L&S-BANDMEDIUMPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION NECsNE6510179AisaGaAsHJ-FETdesignedformediumpowermobilecommunications,FixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andMMDStransmitterandsubscriberapplications.Itiscapableofdelivering1.8wattsofoutputpower(C/W)at3.5Vand3Wattsofouptutpower(CW)at5	CEL California Eastern Labs
NE6510179A-T1	N-CHANNELGaAsHJ-FET 1WL-BANDPOWERGaAsHJ-FET DESCRIPTION TheNE6510179Aisa1WGaAsHJ-FETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationandwirelessPCLANsystems.Itiscapableofdelivering1Wofoutputpower(CW)withhighlinear gain,highefficiencyandexcellentdist	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司

NE6510179A-T1-A产品属性

类型
描述
型号
NE6510179A-T1-A
功能描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS
否
制造商
TriQuint Semiconductor
技术类型
pHEMT
频率
500 MHz to 3 GHz
增益
10 dB
噪声系数
正向跨导
gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压
- 8 V
漏极连续电流
3 A
最大工作温度
+ 150 C
功率耗散
10 W

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更新时间：2025-5-15 15:22:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	NE651R479A-T1(NE651R479	NEC	24+		80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NE651R479A-A	CEL	24+	原厂原封	4000	原装正品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NE651R479A	NEC	23+		26520	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NE651R479A	NEC	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	NE651R479A	NEC	24+	79A	2600	原装现货假一赔十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NE6510179A-T1-A	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NE651R479AA	CEL	22+	79A	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市近平电子有限公司	NE651N	PHILIPS	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	NE651N		24+	DIP	2700	全新原装自家现货优势!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NE651R479A-T1	NEC	1923+	SOT86	35689	绝对进口原装现货库存特价销售	询价

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