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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE5550279A-T1A-A | SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=33.0dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=68TYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •HighLineargain:GL=22.5dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET FEATURES •HighOutputPower:Pout=33.0dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •Highpoweraddedefficiency:ηadd=68TYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin=15dBm) •HighLineargain:GL=22.5dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=40mA,f=460MHz,Pin | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
SiliconPowerLDMOSFET 文件：772.41 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS/Renesas Electronics Am |
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80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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RENESAS |
NA |
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正品原装--自家现货-实单可谈 |
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