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NE5550279A-T1A中文资料

厂家型号

NE5550279A-T1A

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9

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE5550279A-T1A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

• High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)

• High ESD tolerance

• Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

• 150 MHz Band Radio System

• 460 MHz Band Radio System

• 900 MHz Band Radio System

更新时间:2025-10-6 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
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