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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SILICON POWER MOS FET 4.8 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 2 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5510279A is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 4.8 V GSM 1 800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 | RENESAS 瑞萨 |   | ||
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：39.5 Kbytes Page：5 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：42.44 Kbytes Page：5 Pages | CEL | |
NE5510279A-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5510279A-T1-A
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
RF POWER TRANSISTOR LDMOS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
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2019-3-22
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