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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5510279A-T1 | SILICON POWER MOS FET 4.8 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 2 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5510279A is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 4.8 V GSM 1 800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE5510279A-T1 | 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：39.5 Kbytes Page：5 Pages | NEC 瑞萨 | | |
NE5510279A-T1 | 3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 文件：42.44 Kbytes Page：5 Pages | CEL California Eastern Labs | |
NE5510279A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5510279A-T1
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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RENESAS |
24+ |
PW-X/79 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
PW-X79A |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS实单看过来 |
24+ |
79A |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
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NEC |
1309+ |
79A |
805 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
- |
1000 |
||||
RENESAS |
24+ |
79A |
13500 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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NEC |
23+ |
原厂封装 |
9896 |
||||
RENESAS实单看过来 |
23+ |
79A |
845 |
正规渠道,只有原装! |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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