位置:首页 > IC中文资料第1234页 > NDT410EL
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NDT410EL | N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription PowerSOTN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperf | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
NDT410EL | N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件:977.42 Kbytes Page:6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | ||
DetectableBuriedBarricadeTapes400Series 文件:53.73 Kbytes Page:2 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 | |||
Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch 文件:597.06 Kbytes Page:3 Pages | MARATHON Regal Beloit Corporation | |||
CeleronMProcessoron65nmProcess 文件:1.93023 Mbytes Page:71 Pages | IntelIntel Corporation(Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔(集成电子公司) | |||
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LowVoltageandPowerApplications 文件:992.1 Kbytes Page:8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |
NDT410EL产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDT410EL
- 功能描述
MOSFET DISC BY MFG 2/02
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHIL |
23+ |
SOT223 |
5500 |
原装无铅,优势热卖 |
|||
VB |
2019 |
SOT-223 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
NATIONAL |
2024+实力库存 |
4000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
24+23+ |
SOT-223 |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON/安森美 |
SOT-223 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ON/安森美 |
21+ |
SOT223 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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ON/安森美 |
2019+ |
SOT-223 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
ON/安森美 |
SOT223 |
7906200 |
|||||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
NDT410EL规格书下载地址
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