
安森美NDSH20120C碳化硅 (SiC) 二极管 具有出色的开关性能,与硅相比可靠性更高。安森美NDSH20120C无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。
特性
_最高结温
_耐雪崩
_高浪涌电流能力
_正温度系数
_易于并联
_无反向恢复/无正向恢复
应用
_SMPS
_太阳能
_工业电源
_功率因数校正
发布企业:深圳市华睿芯科技有限公司时间:2024-1-5 13:55:00
安森美NDSH20120C碳化硅 (SiC) 二极管 具有出色的开关性能,与硅相比可靠性更高。安森美NDSH20120C无反向恢复电流,并具有温度独立的开关特性及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势:提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。
特性
_最高结温
_耐雪崩
_高浪涌电流能力
_正温度系数
_易于并联
_无反向恢复/无正向恢复
应用
_SMPS
_太阳能
_工业电源
_功率因数校正
型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-3L | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | |||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
Ultra low forward voltage drop, low power loss | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
Ultra low forward voltage drop, low power loss | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
Ultra low forward voltage drop, low power loss | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
SMD Schottky Barrier Rectifiers | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | |||
Low VF Schottky Rectifiers | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ONSEMI | 23+ | 肖特基二极管和整流二极管 | 5864 | 原装原标原盒 给价就出 全网最低 | |||
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APEM | 22+ | 1000 | 原装现货 支持实单 | ||||
NDSH20120C | ONSEMI | 2025+ | 55740 | ||||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR | 24+ | NA | 690 | 原装现货,专业配单专家 | |||
NDSH20120C | ONSEMI/安森美 | 24+ | TO-247-2 | 880000 | 明嘉莱只做原装正品现货 | ||
NDSH20120C | ONSEMI | 25+ | N/A | 7500 | 原装现货17377264928微信同号 | ||
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