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NCP4308	同步整流器控制器	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080	同步整流器控制器，带 LLD 功能	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080	Synchronous Rectifier Controller 文件：453.22 Kbytes Page：36 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080ADR2G	Synchronous Rectifier Controller 文件：453.22 Kbytes Page：36 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080AMTTWG	Synchronous Rectifier Controller 文件：453.22 Kbytes Page：36 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080AMTTWG	封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘包装：管件描述：IC SECONDARY SIDE CTRLR 8WDFN 集成电路（IC）电源控制器，监视器	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP43080DDR2G	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IC SECONDARY SIDE CTRLR 8SOIC 集成电路（IC）电源控制器，监视器	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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4308	75 Ohm RF Digital Attenuator 5-bit, 31 dB, DC - 4.0 GHz 文件：519.19 Kbytes Page：11 Pages	Peregrine	Peregrine
4308H	Solid State LED Lamps-Ultra Brite 240 mcd (red) T-1 3/4 (5mm) 文件：55.08 Kbytes Page：1 Pages	VCC	VCC
4308H	Solid State LED Lamps-Ultra Brite 240 mcd (red) T-1 3/4 (5mm) 文件：24.84 Kbytes Page：1 Pages	CML	CML
4308H-LF	Networks 文件：67.04 Kbytes Page：1 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
4308K-L	Resistor Network 文件：30.76 Kbytes Page：2 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns

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更新时间：2025-12-27 17:46:00

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深圳市星辰微电科技有限公司	NCP43080ADR2G	ON	24+	SOIC-8	25000	ON全系列可订货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	NCP43080ADR2G	ON/安森美	24+	SOIC8	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NCP43080DDR2G	ONSEMI/安森美	25+	SOP8	32360	ONSEMI/安森美全新特价NCP43080DDR2G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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NCP4318ALLDR2G
onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料
该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的，无损坏或逻辑不安，高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容，并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
2013-2-26
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26

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