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NCP43080DDR2G | SynchronousRectifierController 文件：453.22 Kbytes Page：36 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NCP43080DDR2G | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC SECONDARY SIDE CTRLR 8SOIC 集成电路（IC） 电源控制器，监视器 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-11-18NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19NCP361SNT1G
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2020-9-22NCP4423DWR2-双MOSFET驱动器|硫酸钾|16PIN|塑料
该NCP4423/4424/4425是MOSFET驱动器是能够在苛刻的电气环境中提供可靠的服务。虽然主要用于驱动功率MOSFET，这些司机驾驶以及鈥（电容，电阻等负载uited搒，或感性），需要一个低阻抗驱动能力的高峰值电流和快速开关时间。大量的应用，如加载时钟线，同轴电缆，或压电传感器都可以驱动与NCP4423/4424/4425。唯一已知的限制在加载的是，总功率消耗的驱动程序必须保持在最大功率封装的耗散限制。特点高峰值输出电流（3一）宽工作范围（4.5V至18V）高容性负载驱动能力（1800年25纳秒pF）的
2013-2-26NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料
该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的，无损坏或逻辑不安，高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容，并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
2013-2-26
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