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NCP43080

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 包装:管件 描述:IC SECONDARY SIDE CTRLR 8WDFN 集成电路(IC) 电源控制器,监视器

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封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC SECONDARY SIDE CTRLR 8SOIC 集成电路(IC) 电源控制器,监视器

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更新时间:2024-6-17 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOIC8
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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PMIC电源控制器芯片中天科工-原装正品求真务实
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22+
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22600
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WDFN-8
8080
公司只做原装,诚信经营

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  • NCP4318ALLDR2G

    onsemi的双通道同步整流(SR)控制器系列具有自适应死区时间控制

    2023-11-18
  • NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2021-11-25
  • NCP43080ADR2G

    NCP43080ADR2G

    2021-8-19
  • NCP361SNT1G

    MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

    2013-2-26
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26