NCP308MTADJTBG芯片数据手册货源供应商报价-IC资料网

登录注册

芯片资料

精确

参考价格：￥2.3576

型号：NCP308MTADJTBG 品牌：ON 备注：这里有NCP308MTADJTB多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP308MTADJTB批发/采购报价，NCP308MTADJTB行情走势销售排行榜，NCP308MTADJTB报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NCP308MTADJTBG	Low Quiescent Current, Programmable Delay Time Supervisory Circuit 文件：143.06 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP308MTADJTBG	封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 6WDFN 集成电路（IC）监控器	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC308C	Amplifier Transistors(PNP) Amplifier Transistors PNP Silicon	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
HER308	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,600-1000V)	MOSPEC 统懋	MOSPEC
SR308	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,70-100V)	MOSPEC 统懋	MOSPEC
LM308AH	Operational Amplifiers 文件：158.28 Kbytes Page：8 Pages	NSC 国半	NSC
LM308AN	Operational Amplifiers 文件：158.28 Kbytes Page：8 Pages	NSC 国半	NSC

NCP308MTADJTB供应商更多...

更新时间：2026-3-15 14:22:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP308MTADJTBG	ON(安森美)	25+	WDFN-6	22412	原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。	询价
深圳市喜鹊微科技有限公司	NCP308MTADJTBG	ON安森美	20+	WDFN6	29800	只做全新原装,优势渠道	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NCP308MTADJTBG	ON	21+	WSON-6	12000	十年信誉,只做原装,有挂就有现货!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NCP308MTADJTBG	ONSEMI/安森美	25+	WDFN-6	32360	ONSEMI/安森美全新特价NCP308MTADJTBG即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市华高宇电子有限公司	NCP308MTADJTBG	ON			5948	只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NCP308MTADJTBG	ON/安森美	2152+	WSON-6	8000	原装正品假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NCP308MTADJTBG	ON	20+	WDFN6	105	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NCP308MTADJTBG				80000		询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	NCP308MTADJTBG	ON	2023+	WSON-6	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NCP308MTADJTBG	ON	23+	WSON-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

NCP308MT180TBG原包原标低价出
NCP308MT180TBG原包原标低价出
2024-11-9
NCP3135MNTXG
降压开关稳压器 IC 正可调式 0.6V 1 输出 5A 16-VFQFN 裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26