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NCP308MTADJTBG价格
参考价格:¥2.3576
型号:NCP308MTADJTBG 品牌:ON 备注:这里有NCP308MTADJTBG多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP308MTADJTBG批发/采购报价,NCP308MTADJTBG行情走势销售排行榜,NCP308MTADJTBG报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP308MTADJTBG | LowQuiescentCurrent,ProgrammableDelayTimeSupervisoryCircuit 文件:143.06 Kbytes Page:11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
NCP308MTADJTBG | 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 6WDFN 集成电路(IC) 监控器 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2(50.8mm)SingleTurnConductivePlasticPrecisionPotentiometer FEATURES •Bushingmountandservomounttypesavailable •Virtuallyinfiniteresolution •Upto6sectionsavailable •Rotationallifeexceeds20millionshaft revolutions •Co-moldedtrackandmulti-fingerwiperprovidelownoise signal •Largeohmicvaluerange:500to100k •Mater | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |||
GENERALPURPOSE100mWGaAsMMICAMPLIFIER,0.8-3.8GHz GeneralDescription TheHMC308&HMC308EarelowcostMESFETMMICamplifiersthatoperatefromasingle+3to+5Vsupplyfrom0.8to3.8GHz.ThesurfacemountSOT26amplifiercanbeusedasabroadbandamplifierstageorusedwithexternalmatchingforoptimizednarrowbandapplications.Wi | Hittite HITTITE | |||
Testinsulationto2000M廓 文件:117.75 Kbytes Page:1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
GENERALPURPOSE100mWGaAsMMICAMPLIFIER,0.8-3.8GHz 文件:252.53 Kbytes Page:6 Pages | Hittite HITTITE | |||
Labelformat-Oldformatordercodecrossreference 文件:3.00256 Mbytes Page:48 Pages | MACOM Tyco Electronics |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
20+ |
WDFN-6 |
580 |
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ON |
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NCP308MTADJTBG规格书下载地址
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NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器,PDIP-20栅极驱动器,SOT-6高端栅极驱动器,双12A栅极驱动器,35V栅极驱动器,SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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