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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BC308C

Amplifier Transistors(PNP)

Amplifier Transistors PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

BC308C

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Transistors Deisgned For Small Signal Amplification From DC To Low Radio Frequencies

CDIL

BC308C

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Switching and Amplifier Applications • Low Noise: BC309

FAIRCHILD

仙童半导体

BC308C

Amplifier Transistors(PNP Silicon)

文件:84.07 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC308C

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 25V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:散装 描述:TRANS PNP 25V 0.1A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

TRANS PNP 25V 0.1A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,600-1000V)

MOSPEC

统懋

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,70-100V)

MOSPEC

统懋

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

BC308C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC308C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-13 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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TO-92-3
11580
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