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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NAND01GR3B2CZA6E | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 | NUMONYX |   | |
NAND01GR3B2CZA6E | 封装/外壳：63-TFBGA 包装：管件 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
NAND01GR3B2CZA6E | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA | Micron 美光 | | |
NAND01GR3B2CZA6E | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
NAND01GR3B2CZA6E | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages | NUMONYX | | |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 | NUMONYX | |
NAND01GR3B2CZA6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND01GR3B2CZA6E
- 功能描述
IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
72
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步
- 存储容量
4.5M（256K x 18）
- 速度
133MHz
- 接口
并联
- 电源电压
3.135 V ~ 3.465 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
100-LQFP
- 供应商设备封装
100-TQFP（14x20）
- 包装
托盘
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON/美光 |
25+ |
BGA |
32360 |
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BGA |
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FBGA |
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