NAND01GR3B2CZA6E 原装现货

时间：2021-9-14 9:17:00

NAND01GR3B2CZA6E 可做含税，支持实单

华富芯（深圳）智能科技有限公司

联系人：朱小姐

电话：13316472769

0755-23482780

制造商

Micron Technology Inc.

制造商产品编号

NAND01GR3B2CZA6E

供应商

Micron Technology Inc.

描述

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

详细描述

闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb（128M x 8）并联 25 ns 63-VFBGA（9.5x12）

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
NAND01GR3B2CZA6	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
NAND01GR3B2CZA6E	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
NAND01GR3B2CZA6E	1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory	NUMONYX numonyx
NAND01GR3B2CZA6E	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory	NUMONYX numonyx
NAND01GR3B2CZA6F	1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory	NUMONYX numonyx
NAND01GR3B2CZA6F	1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory	NUMONYX numonyx
NAND01GR3B2CZA6F	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

现货更多...

2025-8-2 17:10:00