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NAND01GR3B2CZA6F

1-Gbit,2112-byte/1056-wordpage,1.8V/3V,singlelevelcellNANDflashmemory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
NAND01GR3B2CZA6F

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
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NAND01GR3B2CZA6F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GR3B2CZA6F

  • 制造商

    NUMONYX

  • 制造商全称

    Numonyx B.V

  • 功能描述

    1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

更新时间:2024-4-19 9:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
BGA
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
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21+
QFN
8888888
原装正品现货/订货 价格优惠可开票
micron(镁光)
23+
标准封装
22048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
23+
N/A
59510
正品授权货源可靠
ST意法半导体
22+21+
QFN
3000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
ST
2017+
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45826
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
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QFN
20000
原厂原装正品现货
ST/意法
22+
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3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
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