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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 55A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 55A, RDS(ON) = 16mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 55A, RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.7768 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-11-4 20:11:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2021-12-28
  • MTP3S-E6-C正品现货在售

    类型 描述 选取全部项目 类别 电缆,电线 - 管理 电缆扎带 - 支座和附件 制造商 Panduit Corp 系列 MTP 零件状态 有源 类型 多开 安装类型 螺钉 - #6 大小/尺寸 4.25 长 x 0.50 宽 x 0.12 高(107.9mm x 12.7mm x 3.0mm) 配套使用产品/相关产品 M,I,S 束带 材料 尼龙 颜色 天然

    2019-10-30
  • MUR1620CTRT4G全新原装现货

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    2019-9-24