| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
null4.0A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N100-FC provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 6.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capabi | UTC 友顺 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件:257.35 Kbytes Page:4 Pages | DACO 罡境电子 | |||
Power MOSFET 文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件:157.57 Kbytes Page:4 Pages | IXYS 艾赛斯 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IXYS |
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TO-263 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IXYS(艾赛斯) |
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IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS原装 |
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2019-10-30
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