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DAM4N100L

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

null4.0A,1000VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC4N100-FCprovideexcellentRDS(ON),lowgate chargeandoperationwithlowgatevoltages.Thisdevice suitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES0 *RDS(ON)≤6.0Ω@VGS=10V,ID=2.0A *LowReverseTransferCapacitance *FastSwitchingCapabi

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PolarHiPerFETPowerMOSFET

文件:157.57 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

PowerMOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
更新时间:2025-6-12 17:44:00
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    2021-9-27
  • DAN202KT146

    www.jskj-ic.com

    2021-7-12
  • DAP002全新原装现货

    可立即发货

    2019-9-24