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4N100-FC

null4.0A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 4N100-FC provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 6.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capabi

UTC

友顺

4N100-FC

Planar Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:257.35 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

Power MOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:157.57 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

更新时间:2026-1-3 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC/友顺
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