IXFA4N100P价格

参考价格:¥8.9501

型号:IXFA4N100P 品牌:Ixys 备注:这里有IXFA4N100P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFA4N100P批发/采购报价,IXFA4N100P行情走势销售排行榜,IXFA4N100P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFA4N100P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

IXFA4N100P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:157.57 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

IXFA4N100P

Power MOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

Power MOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

null4.0A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 4N100-FC provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 6.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capabi

UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:257.35 Kbytes Page:4 Pages

DACO

IXFA4N100P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFA4N100P

  • 功能描述

    MOSFET 4 Amps 1000V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 18:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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IXYS/艾赛斯
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