IXFA4N100P价格

参考价格:¥8.9501

型号:IXFA4N100P 品牌:Ixys 备注:这里有IXFA4N100P多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXFA4N100P批发/采购报价,IXFA4N100P行情走势销售排行榜,IXFA4N100P报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFA4N100P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

IXFA4N100P

N通道HiPerFET MOSFET

Littelfuse

力特

IXFA4N100P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:157.57 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFA4N100P

Power MOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件:270.9 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

null4.0A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 4N100-FC provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 6.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capabi

UTC

友顺

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:257.35 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

IXFA4N100P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFA4N100P

  • 功能描述

    MOSFET 4 Amps 1000V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
1932+
TO-263
1162
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS原装
25+23+
TO-263
23687
绝对原装正品全新进口深圳现货
Littelfuse/IXYS
24+
TO-263
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
24+
TO-263
8866
IXYS原装
24+
TO-263
30980
原装现货/放心购买
IXYS/艾赛斯
23+
D2PAK
6000
原装正品,支持实单
IXYS原装
23+
TO-263
7000

IXFA4N100P数据表相关新闻