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NP23N06YDG	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RFP23N06LE	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control	ISC 无锡固电	ISC
NP23N06YDG	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
SG23N06DT	Discrete IGBTs 文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
SG23N06DT	Discrete IGBTs 文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER

MTP23N06V供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:01

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MTP10-B7F55 代理库存
原厂原包装绝无虚假假一罚十
2020-6-4
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2019-10-30
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2019-4-9