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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:893.02 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:420.84 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-26 14:49:01
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