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MRFG35010A价格
参考价格：￥148.9863
型号：MRFG35010ANT1 品牌：Freescale 备注：这里有MRFG35010A多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MRFG35010A批发/采购报价，MRFG35010A行情走势销售排行榜，MRFG35010A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFG35010A | GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：490.55 Kbytes Page：18 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  |   |
GalliumArsenidePHEMT 3.5GHz,9W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  | | |
GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWiMAX,WLL/MMDSorUMTSdriverandfinalapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPer | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | | |
GalliumArsenidepHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
GalliumArsenidepHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
封装/外壳：PLD-1.5 包装：托盘 描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor 文件：490.55 Kbytes Page：18 Pages | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
封装/外壳：NI-360HF 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
MULTI-PORTDouble-SidedEntry. 文件：262.28 Kbytes Page：2 Pages | HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司 |  | | |
MULTI-PORTDouble-SidedEntry. 文件：259.45 Kbytes Page：2 Pages | HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司 | | | |
MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry. 文件：260.519 Kbytes Page：2 Pages | HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司 | | | |
MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry. 文件：263.41 Kbytes Page：2 Pages | HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司 | | | |
MULTI-PORTSingle-SidedEntry. 文件：262.06 Kbytes Page：2 Pages | HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司 | | |
MRFG35010A产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFG35010A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
Freescale(飞思卡尔) |
23+ |
标准封装 |
11707 |
我们只是原厂的搬运工 |
|||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-360HF |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
NXP |
23+ |
NI360HF |
8000 |
只做原装现货 |
|||
NXP |
22+ |
NI360HF |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Freescale |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
FREESCALE |
2022 |
moudle |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
FREESCA |
2020+ |
Modular |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
FREESCALE |
moudle |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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MRFG35010A规格书下载地址
MRFG35010A参数引脚图相关
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- msm7227a
- MRM3-P
- MRM2-V
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- MRJ0050DD-A
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- MRH52-V
- MRH31
- MRGF16X
- MRGF16
- MRG5903.10100
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- MRG5801
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- MRG5800
- MRG316D.0125
- MRG316.0125
- MRG2130.00100
- MRG2130
- MRG1791.0050
- MRG1791.00100
- MRG1791
- MRG179.0125
- MRG179.01100
- MRG1781.0050
- MRG1781
- MRG178.0125
- MRG178.01100
- MRG1740.0050
- MRG142.0125
- MRFG35010ANT1
- MRFE6VS25NR1
- MRFE6VS25LR5
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- MRFE6VP8600HR5
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- MRFE6VP5600HR5
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- MRFE6VP5150GNR1
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MRFG35010A数据表相关新闻
MRF8P9300HSR6
MRF8P9300HSR6
2023-12-15MRS25000C2872FCT00
优势渠道
2023-11-17MRS25000C3301FRP00
MRS25000C3301FRP00
2021-7-6MRS25000C1001FRP00
MRS25000C1001FRP00
2021-7-6MRFE6VP6300HR3 全新原装现货
MRFE6VP6300HR3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-12-4MRF6V3090NR5 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
MRF6V3090NR5射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管
2020-11-24
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