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芯片资料

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MRF6S9060MBR1	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicatio	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF6S9060MBR1	封装/外壳：TO-272-2 包装：卷带（TR）描述：FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	ETC 知名厂家	ETC
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MRFE6S9060N	RF Power Field Effect Transistor	ETC 知名厂家	ETC

MRF6S9060MB供应商更多...

更新时间：2025-8-6 18:28:00

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MRF6S9125N原装现货热卖
MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
2021-2-3
MRF6V3090NBR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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2020-11-24
MRF6V3090NR5 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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2020-11-24
MRF6S21140HR5，MRF6S21140HS，MRF6S21140HSR5，MRF6S21190H
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2020-3-26
MRF572
MRF572，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-30
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2019-11-30