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MRF6S9060MBR1	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
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MRF6S9060MBR1	封装/外壳：TO-272-2 包装：卷带（TR）描述：FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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MRF6S9060N	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
MRFE6S9060N	RFPowerFieldEffectTransistor 文件：635.11 Kbytes Page：15 Pages	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

MRF6S9060M产品属性

类型
描述
型号
MRF6S9060M
功能描述
MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> RF FET
系列
-
产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
N 通道 JFET
频率
-
增益
- 电压 -
测试
-
额定电流
30mA
噪音数据
- 电流 -
测试
- 功率 -
输出
- 电压 -
额定
25V
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷(TR)
产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF6S9060M供应商更多...

更新时间：2024-6-22 14:31:00

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