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位置：首页 > IC中文资料第1781页 > MRF652

MRF652价格

参考价格：￥252.8253

型号：MRF652S 品牌：ASI 备注：这里有MRF652多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MRF652批发/采购报价，MRF652行情走势销售排行榜，MRF652报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF652

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 (

Motorola

摩托罗拉

MRF652

NPN Silicon RF Power Transistors

NPN Silicon RF Power Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MRF652

Trans GP BJT NPN 16V 2A 3-Pin NI-200Z

NJS

MRF6522-70R3

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large--signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment. • Speci

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF652S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI MRF652S is Designed for UHF large signal, amplifier Applications in FM equipment up to 512 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 5.0 W/512 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

MRF652S

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 5.0 Watts Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 65 (

Motorola

摩托罗拉

MRF652S

NPN Silicon RF Power Transistors

NPN Silicon RF Power Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MRF6522_5R1

960 MHz, 5.0 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF6522_60

960 MHz, 60 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF6522-70

RF Power Field Effect Transistor

文件：510.8 Kbytes Page：8 Pages

Motorola

摩托罗拉

MRF6522-70

RF Power Field Effect Transistor

文件：332.8 Kbytes Page：12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6522-70R3

RF Power Field Effect Transistor

文件：332.8 Kbytes Page：12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6522-70R3

RF Power Field Effect Transistor

文件：510.8 Kbytes Page：8 Pages

Motorola

摩托罗拉

MRF6522--70R3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件：342.04 Kbytes Page：10 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6522-70R3_06

RF Power Field Effect Transistor

文件：332.8 Kbytes Page：12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6522-70R3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件：342.04 Kbytes Page：10 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

652

MINIATURE FUSEHOLDERS

文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages

Littelfuse

力特

652

Optical Isolation

文件：290.11 Kbytes Page：2 Pages

WILLOW

652

ROHS CERTIFICATE OF COMPLIANCE

文件：379.78 Kbytes Page：2 Pages

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

652

횠12.7mm mounting Product will operate over a wide voltage range

文件：406.99 Kbytes Page：4 Pages

MARL

AC652

10 TO 600 MHz TO-8 CASCADABLE AMPLIFIER

文件：175.75 Kbytes Page：2 Pages

TELEDYNE

华特力科

MRF652产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF652

  • 功能描述

    射频放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

MRF652供应商更多...

更新时间：2025-9-26 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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