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MRF652S中文资料

厂家型号

MRF652S

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111.83Kbytes

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4

功能描述

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

射频双极电源晶体管 RF Transistor

数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

MRF652S数据手册规格书PDF详情

The RF Line

NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS

Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz.

• Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics

Output Power = 5.0 Watts

Minimum Gain = 10 dB

Efficiency = 65 (Typ)

• Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.0 W Output = 6.0 dB

• Series Equivalent Large–Signal Characterization

• Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Reliability

• Capable of 30:1 VSWR Load Mismatch at 15.5 V Supply Voltage

• Circuit board photomaster available upon request by contacting

RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

MRF652S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF652S

  • 功能描述

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作频率

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    4 V

  • 集电极连续电流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封装/箱体

    Case 211-11

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-27 9:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MRF652S 价格

参考价格:¥252.8253

型号:MRF652S 品牌:ASI 备注:这里有MRF652S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MRF652S批发/采购报价,MRF652S行情走势销售排排榜,MRF652S报价。

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