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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/ce l lu lar r

Motorola

摩托罗拉

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/ce l lu lar r

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摩托罗拉

MRF5S21150HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S21150HS

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-8-15 17:11:00
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