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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/ce l lu lar r | Motorola 摩托罗拉 |   | ||
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-880S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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MRF5S21150HS产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S21150HS
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FREESCALE |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
25+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
2025+ |
SMD |
4000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
MOTOROLA |
25+ |
40 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
FREESCALE |
22+ |
5000 |
原装正品!现货库存!量大可订货! |
||||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FRESSCAL |
24+ |
SMD |
159 |
||||
恩XP |
23+ |
NI880S |
8000 |
只做原装现货 |
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