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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S21150HSR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S21150HSR3 | 封装/外壳：NI-880S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S21150HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S21150HSR3
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
10+ |
TO-272 |
23 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FREESCALE |
2021+ |
NA |
1000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
|||
FREESCALE |
23+ |
SMD |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
恩XP |
25+ |
TO-272BB |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
24+ |
原装 |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
FREE |
24+ |
SMD |
5632 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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恩XP |
22+ |
NI880S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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