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MPLAD30KP30CA

封装/外壳:非标准型 SMD 包装:散装 描述:TVS DIODE 30VWM 48.8VC PLAD 电路保护 TVS - 二极管

Microchip

微芯科技

MPLAD30KP30CA

High-Reliability Diodes

Microchip

微芯科技

High-Reliability Diodes

Microchip

微芯科技

封装/外壳:非标准型 SMD 包装:散装 描述:TVS DIODE 30VWM 48.8VC PLAD 电路保护 TVS - 二极管

Microchip

微芯科技

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

VR : 26 - 400 Volts PPK : 30,000 Watts FEATURES : * Glass passivated junction chip * Excellent Clamping Capability * Fast Response Time * Low Leakage Current * Pb / RoHS Free

EIC

30kW TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

30kW TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR • Available in both unidirectional and bidirectional construction (bidirectional “C” or “CA” suffix) • Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). • Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suf

DIGITRON

AXIAL LEADED TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Features ● Plastic package. ● Glass passivated junction. ● Excellent clamping capability. ● Repetition rate (duty cycle): 0.05. ● Low incremental surge resistance. ● Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volt to BV. ● High temperature soldering guaranteed: 265°C/10 seconds/.

SUNMATE

森美特

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 • Glass passivated junction • 30000W Peak Pulse Power capability on 10/1000 µs waveform • Excellent clamping capability • Repetition rate (duty cycle):0.05 • Low incremental surge resistance • Fast resp

MDE

30kW TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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DIGITRON

更新时间:2025-12-29 16:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microsemi(美高森美)
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PLAD
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MICROSEMI
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原装正品
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    MPS代理商授权经销,深圳市惊羽科技有限公司,刘先生:1314700-5145,QQ:43871025,货真价实,有问必回!

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  • MPM3630GQV-Z,MPS代理商授权经销

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    2020-9-25
  • MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销

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  • MPIC2130-3相桥驱动器

    该MPIC2130是一种高电压,高转速,功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出,也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作

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