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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Features ■ Low threshold — 2.0V max. ■ High input impedance ■ Low input capacitance — 50pF typical ■ Fast switching speeds ■ Low on resistance ■ Free from secondary breakdown ■ Low input and output leakage ■ Complementary N- and P-channel devices

SUTEX

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs

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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array?

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array

SUTEX

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

更新时间:2026-8-3 18:24:01
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  • MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销

    MPS代理商授权经销,深圳市惊羽科技有限公司,刘先生:1314700-5145,QQ:43871025,货真价实,有问必回!

    2020-9-25
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    2020-9-25
  • MPIC2130-3相桥驱动器

    该MPIC2130是一种高电压,高转速,功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出,也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作

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