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TN0106中文资料

厂家型号

TN0106

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27.58Kbytes

页面数量

4

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

MOSFET 60V 3Ohm

数据手册

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生产厂商

SUTEX

TN0106数据手册规格书PDF详情

Features

■ Low threshold — 2.0V max.

■ High input impedance

■ Low input capacitance — 50pF typical

■ Fast switching speeds

■ Low on resistance

■ Free from secondary breakdown

■ Low input and output leakage

■ Complementary N- and P-channel devices

TN0106产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TN0106

  • 功能描述

    MOSFET 60V 3Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROCHIP(美国微芯)
24+
TO-92
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
MICROCHIP(美国微芯)
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