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VN0106价格

参考价格：￥3.1950

型号：VN0106N3-G 品牌：Microchip Technology 备注：这里有VN0106多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VN0106批发/采购报价，VN0106行情走势销售排行榜，VN0106报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VN0106

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

VN0106

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicongate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and pos

SUTEX

VN0106

MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 60V, 3.0 Ohm

Microchip

微芯科技

VN0106N2

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106N3

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106N3

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

VN0106N3-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

General Description This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicongate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and pos

SUTEX

VN0106N5

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106N6

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106N7

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106N9

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106ND

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

VN0106NE

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array?

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array

SUTEX

VN0106N3

60 V, 3 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS power FET

TOPAZ

VN0106N3-G P013

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Microchip

微芯科技

ABE0106

Low EMI Spread Spectrum Multiplier Clock

DESCRIPTION The ABE0101/02/04/06 are Spread Spectrum Clock Generators designed for the purpose of reducing EMI in high-speed digital systems. Any output frequency from 10 to 180MHz can be selected by programming 6 multiplier modes. The device is designed to operate from a crystal or reference clo

ABRACON

0106

IEC Plug I, Cord Connector (Rewireable), Straight

文件：398.31 Kbytes Page：3 Pages

SCHURTER

硕特

0106-SS

CAPTIVE PANEL SCREW STYLE 1

文件：85.87 Kbytes Page：1 Pages

RAF

RAF ELECTRONIC HARDWARE

A0106X

ILLUMINATED OR NON-ILLUMINATED PUSHBUTTON SWITCHES Panel cut-out 횠16 (.630)

文件：822.28 Kbytes Page：7 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

A0106Y

ILLUMINATED OR NON-ILLUMINATED PUSHBUTTON SWITCHES Panel cut-out 횠16 (.630)

文件：822.28 Kbytes Page：7 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

VN0106产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VN0106

  • 功能描述

    MOSFET 60V 3Ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

VN0106供应商更多...

更新时间：2025-10-1 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
VN0106N5
SI
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深圳市富利微电子科技有限公司
VN0106N3-G
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深圳市赛特兴科技有限公司
VN0106N7
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VN0106N
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深圳市高捷芯城科技有限公司
VN0106N3-G
MICROCHIP(美国微芯)
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上海金庆电子技术有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
VN0106N6
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易创佳业科技（深圳）有限公司
VN0106N3-G
MICROCHIP/微芯
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TO-92(TO-92-3)
22820
原装正品，支持实单
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