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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT3906RF | 350mW, PNP Small Signal Transistor 文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages | TSC 台湾半导体 |   | |
MMBT3906RF | 350mW, PNP Small Signal Transistor 文件：229.24 Kbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 | | |
350mW, PNP Small Signal Transistor 文件：229.24 Kbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
350mW, PNP Small Signal Transistor 文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
丝印代码：7B*；PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: MMBT3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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PNP switching transistor DESCRIPTION PNP transistor in a plastic TO-92; SOT54 package. NPN complement: MPS3904. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
General Purpose Transistor(PNP Silicon) 文件：433.04 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMBT3906RF产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT3906RF
- 制造商
TSC
- 制造商全称
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
- 功能描述
350mW, PNP Small Signal Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
SOT-923F |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
onsemi(安森美) |
25+ |
SOT-923F |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
SLS |
12+ |
SOT23 |
5000 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT923 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
DIODES |
24+ |
SOT23-3 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
原装ST |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
|||
长电 |
25+ |
SOT-23 |
999999 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
TAIWAN |
2540+ |
SOT23 |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT-923F |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
TAIWAN |
22+ |
SOT23 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
MMBT3906RF规格书下载地址
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2021-3-9MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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