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MJD30晶体管资料

  • MJD30别名：MJD30三极管、MJD30晶体管、MJD30晶体三极管

  • MJD30生产厂家：韩国三星公司

  • MJD30制作材料：

  • MJD30性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • MJD30封装形式：贴片封装

  • MJD30极限工作电压：

  • MJD30最大电流允许值：1A

  • MJD30最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJD30引脚数：3

  • MJD30最大耗散功率：15W

  • MJD30放大倍数：

  • MJD30图片代号：G-217

  • MJD30vtest：0

  • MJD30htest：999900

  • MJD30atest：1

  • MJD30wtest：15

  • MJD30代换 MJD30用什么型号代替：

MJD30价格

参考价格：￥1.9865

型号：MJD3055T4 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有MJD30多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD30批发/采购报价，MJD30行情走势销售排行榜，MJD30报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD3055

Complementary Power Transistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MJD3055

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
MJD3055

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
MJD3055

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeMJD2955 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

TRANSISTOR (NPN)

文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages

FS

First Silicon Co., Ltd

FS
MJD3055G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055RLG

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJD30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD30

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD30供应商更多...

更新时间：2024-5-1 19:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
MJD3055
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MJD3055T4G
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MJD3055
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TO251
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MJD3055
FAIRCHILD
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TO-252
36800
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