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MJD30晶体管资料

  • MJD30别名：MJD30三极管、MJD30晶体管、MJD30晶体三极管

  • MJD30生产厂家：韩国三星公司

  • MJD30制作材料：

  • MJD30性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • MJD30封装形式：贴片封装

  • MJD30极限工作电压：

  • MJD30最大电流允许值：1A

  • MJD30最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJD30引脚数：3

  • MJD30最大耗散功率：15W

  • MJD30放大倍数：

  • MJD30图片代号：G-217

  • MJD30vtest：0

  • MJD30htest：999900

  • MJD30atest：1

  • MJD30wtest：15

  • MJD30代换 MJD30用什么型号代替：

MJD30价格

参考价格：￥1.9865

型号：MJD3055T4 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有MJD30多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD30批发/采购报价，MJD30行情走势销售排行榜，MJD30报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD3055

Complementary Power Transistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MJD3055

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJE3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10A

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
MJD3055

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES DesignedforGeneralPurposeAmplifierdanLowSpeed SwitchingApplications ElectricallySimiartoMJE3055 DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
MJD3055

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeMJD2955 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A ·ComplementtoTypeMJD2955 APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJD3055G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJD3055

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055

TRANSISTOR (NPN)

文件：80.34 Kbytes Page：1 Pages

FS

First Silicon Co., Ltd

FS
MJD3055G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055RLG

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJD30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD30

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD30供应商更多...

更新时间：2025-7-27 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒创达实业有限公司
MJD3055
ST/FSC
17+
TO-252
6200
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD3055RLG
onsemi(安森美)
24+
TO-252
2176
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
MJD3055
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
TO252
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
MJD3055
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳和润天下电子科技有限公司
MJD3055T4
ST/意法半导体
22+
TO-252-3
6000
原装正品现货 可开增值税发票
询价
深圳市弘为电子有限公司
MJD3055
FAIRCHILD
24+
原装进口原厂原包接受订货
2866
原装现货假一罚十
询价
深圳市宝芯创电子有限公司
MJD3055
MOTOROLA/摩托罗拉
18+
TO252
12500
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD3055
CJ/长电
24+
NA/
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
MJD3055
原装
25+
TO-252
20300
原装特价MJD3055即刻询购立享优惠#长期有货
询价
深圳市赛尔通科技有限公司
MJD3055T4G
ON
23+
DPAK
56000
询价

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